Описана установка для исследования характеристик излучения электронов и позитронов высоких энергий. Установка "Кристалл" была создана в ИФВЭ в 1980 г. Она обеспечивала разрешение по углу входа частиц в кристалл около 6 мкрад, по углу выхода - 30 мкрад, для части событий измерялись углы вылета g-квантов с точностью около 4 мкрад. В качестве мишеней использовались бездислокационные монокристаллы.
В исследованиях, выполненных на установке, получена экспериментальная информация об излучении, возникающем в процессах осевого и плоскостного каналирования электронов и позитронов с энергией 10 ГэВ в монокристаллах кремния и германия. Приведены характеристики электромагнитного излучения для различных углов входа в кристалл, а также данные, характеризующие потери энергии на излучение. Впервые измерены угловые характеристики излучения.
В работе представлены также данные по исследованию когерентного тормозного излучения релятивистских электронов и позитронов в тонких монокристаллах кремния.

An experimental setup is discribed which is designed to ivestigate the characteristics of the radiation of high energy electrons and positrons. The setup "Crystal" was instolled at IHEP in 1980. It provides resolution of 6 microradian on the angle of incoming particles and of 30 microradian on the angle of outgoing particles. For a fraction of events gamma rays were detected and the emission angles were measured with an accuracy of about 4 microradian. Dislocation-free Si single crystals were used as targets.
Experimental information on the radiation arising from the axial and planar channeling of 10 GeV electrons and positrons in Si and Ge single crystals has been obtained. The characteristics of electromagnetic radiation for various angles of entry into a crystal and the data on the total energy losses are presented. For the first time the angular dependence of the radiation was obtained.
Data on the study of the coherent bremsstrahlung of relativistic electrons and positrons in thin Si single crystals are also presented.