Представлено современное состояние исследований в области разработок различных типов полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов. Особое внимание уделено "миниатюрным" типам дискретных приборов: микростриповым детекторам, приборам с зарядовой связью, дрейфовым камерам. Проанализированы преимущества и недостатки рассматриваемых типов детекторов, методы оптимизации их основных параметров: пространственной точности, двухтрекового разрешения, быстродействия и количества информационных каналов. Изложены различные методы считывания информации, требования, предъявляемые к первичной электронике, условия оптимальной обработки сигналов с детекторов, а также последние достижения в области применения первичной многоканальной интегральной электроники. Рассмотрены эффекты, связанные с влиянием радиационной нагрузки и магнитных полей на параметры детекторов. Даны примеры использования полупроводниковых трековых систем в ряде современных экспериментов.

The present status of research and development of various semiconductor position sensitive detectors (continuous, discrete, multicrystal) is reviewed. Special attention is paid to mini-types of discrete devices: microstrip detectors, charge coupled devices and semiconductor drift chambers. Advantages and disadvantages of these detectors, methods of optimization of their main parameters (spatial resolution, double particle resolution, read-out time, number of signal outputs) are discussed. Different read-out schemes, requirements to primary electronics, conditions for optimal analysis of signals from detectors are described. The recent progress of multichannel monolithic integrated read-out electronics are presented. The effects of radiation and magnetic fields on detector parameters are considered. Examples of employment of semiconductor track systems in some modern experiments are given.