Дается обзор возникшего в начале 80-х годов и бурно развивавшегося в последнее десятилетие направления в методике экспериментов по физике элементарных частиц: координатных полупроводниковых детекторов. Описаны основные типы применяемых детекторов и их важнейшие характеристики. Приведены примеры использования детекторов в конкретных экспериментах по физике высоких энергий и перечислены некоторые предельно достигнутые параметры. Описаны специализированные микросхемы, применяющиеся для съема сигналов с микрополосковых детекторов. Рассмотрен вопрос о радиационной стойкости детекторов и сопутствующей электроники. Описано несколько новейших разработок в области полупроводниковых координатных детекторов и фотоприемников на их основе.

A review is given of semiconductor coordinate detectors - a new field in experimental technique for elementary particle physics appeared in early 80's and extensively developed during the last ten years. The main types of the detectors and their most important characteristics are described. The examples of the detector applications in several high-energy physics experiments and some record achieved parameters are given. The dedicated chips for microstrip detector readout are described. The question of radiation hardness of the detectors and front-end electronics is considered. Several new developments in semiconductor coordinate detectors and related photosensitive devices are described.