Обсуждается статистическая монте-карловская модель радиационных повреждений микроэлектронных приборов различной конфигурации под действием протонов, нейтронов и ионов различных энергий. Основное внимание уделено области высоких энергий, где первичные бомбардирующие частицы порождают разветвленные ливни вторичных частиц. В качестве примера рассматриваются приборы на основе кремния и арсенида галлия. Учтено влияние окружающих деталей. В зависимости от величины энергии, выделяющейся в чувствительном элементе микроэлектронной ячейки, модель позволяет рассчитать временную зависимость радиационных отказов (сбоев) электронных устройств. Рассмотрено моделирование радиационных повреждений стриповых детекторов и болометров с тонкопленочными чувствительными элементами из высокотемпературных сверхпроводящих материалов.

Statistical Monte Carlo model of radiational damages of microelectronic devices of different configurations under the proton, neutron and ion irradiation at different energies is considered. The main attention is paid to the high energy region where the incident bombarding particles produce the developed showers of secondary particles. Devices manufactured of silicon or GaAs are considered as examples. The influence of surrounding parts is studied. The model allows one to evaluate the time-dependence of radiation induced break-downs of electronic installations depending on the value of the energy discharged in the sensitive volume of the microelectronic cell. Simulation of radiational damages of microstrip detectors is considered.